[이코노미 줌in] 5단 수직적층 반도체 트랜지스터 개발

KAIST 이병현·강민호 연구원

KAIST(총장 강성모)는 이병현 전기및전자공학부 연구원과 강민호 나노종합기술원 박사가 '실리콘 기반의 5단 수직 적층 반도체 트랜지스터'를 공동개발했다고 23일 밝혔다.

연구팀은 반도체 트랜지스터의 나노선 면적 감소에 따른 성능 저하 문제를 해결하기 위해 수직으로 5단의 '전면-게이트 실리콘 나노선'을 쌓아 기존 대비 5배의 향상된 결과를 얻어냈다.

수직 적층 나노선 구조는 수직으로 반도체를 쌓아 단일 구조와 달리 면적에 변화가 없어 집적도를 향상시켰다.

나노선 수직 적층은 '일괄 플라즈마 건식 식각 공정' 방식을 통해 이뤄졌다. 이는 고분자 중합체를 이용해 패턴이 형성될 영역에 미리 보호막을 치고 등방성 건식 식각을 통해 나노선 구조를 형성하는 기술로, 이 기술이 연속으로 작용하면서 수직 적층 나노선 구조를 확보할 수 있었던 것.

이병현 연구원은“이번 기술 개발은 나노종합기술원의 훌륭한 반도체 연구 기반과 김진수 부장을 포함해 관련 연구진들의 우수한 공정 능력이 뒷받침돼 가능했다”고 말했다.

최소망 기자