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(한기대 제공) |
안 교수는 경희대학교 손종역 교수 연구진과의 공동연구를 통해 직경 30~50nm 규모의 에피택셜 HZO 나노점을 제작하고, 나노스케일에서의 분극 도메인 벽 이동 속도 및 분극 스위칭에 필요한 활성화 전기장을 정밀하고 체계적인 실험을 통해 정량적으로 규명했다.
이번 연구는 단결정 수준의 강유전체 나노점에서 분극 스위칭 거동을 정량적으로 분석한 세계적으로도 드문 사례로, 기존의 벌크·박막 중심의 이해를 넘어서는 스케일링 한계 극복의 방향성을 제시했다는 점에서 의미가 크다.
아울러 향후 HZO 기반 소자의 상용화 가능성을 한층 뒷받침하며, 차세대 초소형 비휘발성 메모리 소자 개발에 실질적인 기여를 할 전망이다.
천안=하재원 기자
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