KAIST 이효선 학생, 한국인 최초 호프만장학상 수상

나노디바이스를 이용해 핫전자 정량적 분석

KAIST(한국과학기술원)은 EEWS 대학원의 이효선 박사과정(28ㆍ지도교수 박정영) 학생이 한국인 최초로 제63회 미국진공학회 국제학회에서 ‘호프만 장학상’을 수상했다고 15일 밝혔다.

호프만 장학상은 전 미국진공학회장인 도로시 M. 호프만 학자의 후원으로 2002년부터 제정돼 학회에 참석한 대학원생 중 최고 수준의 연구결과를 보여준 2명에게 수여된다.



이 씨의 수상은 상이 제정된 이후, 비미국 대학 출신 학생이 수상한 최초의 사례다.

이 씨는 ‘나노디바이스를 이용한 표면촉매반응에서의 핫전자 검출’이라는 주제의 연구를 발표했다.

이 씨의 연구는 촉매활성도에 영향을 미치는 핫전자를 새로운 나노디바이스를 이용해 정량적으로 분석하는 기술로, 나노촉매표면에서의 화학반응 원리의 이해도를 높였다는 평을 받아 지난 2월 ‘나노레터스(Nano Letters)’에 게재됐다.

또 수소 산화반응 중 금속 나노촉매 표면에서 발생한 핫전자 흐름을 검출해 앙케반테 케미(Angewandte chemi)에도 논문을 게재한 바 있다.

이 씨는 “세계적으로 권위 있는 학회에서 연구의 우수성을 인정받아 한국인 최초로 수상하게 돼 기쁘다”며 “앞으로도 우수 연구를 통해 한국 과학기술 발전에 기여하겠다” 고 말했다.

한편, 1954년 설립된 미국진공학회(AVS)는 화학ㆍ물리ㆍ생물학 등 다양한 분야의 전문가가 모여 나노과학ㆍ표면과학 등의 과학기술분야 발전에 기여한 국제 학회로, 이번 제63회 학회는 지난 6∼11일 미국 내슈빌에서 열렸으며, 세계 각국의 회원 4500여명이 참석했다. 최소망 기자 somangchoi@